• SOT-323 SS8050W NPN Silizium-Epitaxial-Glanztransistor für hohe Kollektorstrom
SOT-323 SS8050W NPN Silizium-Epitaxial-Glanztransistor für hohe Kollektorstrom

SOT-323 SS8050W NPN Silizium-Epitaxial-Glanztransistor für hohe Kollektorstrom

Produktdetails:

Herkunftsort: Dongguan, China
Markenname: UCHI
Zertifizierung: Completed
Modellnummer: SS8050W

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Detailinformationen

Hervorheben:

SS8050W

,

npn Silizium-Epitaxial-Glanztransistor

,

Hochkollektor-Strom-Epitaxialplanartransistor

Produkt-Beschreibung

SOT-323 Hochfrequenz-Low-Noise-Transistor (PNP)

 

Eigenschaften
 
- Kollektorstrom.
- Ergänzend zur SS8550W.
- Kollektorverlust:PC=200mW(TC=25°C)
 
 
Anwendungen
 
- Hohe Sammlerströmung.
 
 
Bestellinformationen
 
Typ Nr.:SS8050W
Kennzeichnung: Y1
Packungscode: SOT-323
 

Elektrische Eigenschaften @ Ta=25 °C, sofern nicht anders angegeben

 

Parameter Symbol Prüfbedingungen Min. TYP Maximal Einheit
Abbruchspannung der Kollektorbasis V(BR)CBO IC=100μA,IE=0 40     V
Abbruchspannung zwischen Kollektor und Emitter V(BR)CEO IC=2mA, IB=0 25     V
Abbruchspannung Emitter-Basis V(BR) EBO IE=-100μA, IC=0 5     V
Abschaltstrom des Kollektors ICBO VCB=40V,IE=0     0.1 μA
Abschaltstrom des Kollektors ICEO VCE = 20V, IB = 0     0.1 μA
Schnittstrom des Emitters IEBO VEB = 5V, IC = 0     0.1 μA
Gleichstromgewinn

 

hFE

VCE = 1V, IC = 100mA 120   400  
VCE=1V, IC=800mA 40      
Sättigungsspannung des Kollektors-Emitters VCE (Sat) IC=800 mA, IB=80 mA     0.5 V
Sättigungsspannung des Basis-Emitters VBE (Sat) IC=800 mA, IB=80 mA     1.2 V
Basis-Emitterspannung VBE VCE=1V IC=10mA     1 V
Übergangshäufigkeit fT VCE=10V, IC=50mA f=30MHz 100     MHz

 

Klassifizierung der HFE (n)

 

Rang L H J
Reichweite 120 bis 200 200 bis 350 300 bis 400

 

 

Typisch Eigenschaften @Das ist...= 25 °Caußer wenn Ansonsten spezifiziert

SOT-323 SS8050W NPN Silizium-Epitaxial-Glanztransistor für hohe Kollektorstrom 0

 

SOT-323 SS8050W NPN Silizium-Epitaxial-Glanztransistor für hohe Kollektorstrom 1

 

 
 

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