SOT-323 SS8050W NPN Silizium-Epitaxial-Glanztransistor für hohe Kollektorstrom
Produktdetails:
Herkunftsort: | Dongguan, China |
Markenname: | UCHI |
Zertifizierung: | Completed |
Modellnummer: | SS8050W |
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: | 1000 Stück |
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Preis: | Verhandlungsfähig |
Verpackung Informationen: | Standards |
Lieferzeit: | 3weeks |
Zahlungsbedingungen: | T/T, Western Union |
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 5000 Stück |
Detailinformationen |
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Hervorheben: | SS8050W,npn Silizium-Epitaxial-Glanztransistor,Hochkollektor-Strom-Epitaxialplanartransistor |
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Produkt-Beschreibung
SOT-323 Hochfrequenz-Low-Noise-Transistor (PNP)
Eigenschaften
- Kollektorstrom.
- Ergänzend zur SS8550W.
- Kollektorverlust:PC=200mW(TC=25°C)
Anwendungen
- Hohe Sammlerströmung.
Bestellinformationen
Typ Nr.:SS8050W
Kennzeichnung: Y1
Packungscode: SOT-323
Elektrische Eigenschaften @ Ta=25 °C, sofern nicht anders angegeben
Parameter | Symbol | Prüfbedingungen | Min. | TYP | Maximal | Einheit |
Abbruchspannung der Kollektorbasis | V(BR)CBO | IC=100μA,IE=0 | 40 | V | ||
Abbruchspannung zwischen Kollektor und Emitter | V(BR)CEO | IC=2mA, IB=0 | 25 | V | ||
Abbruchspannung Emitter-Basis | V(BR) EBO | IE=-100μA, IC=0 | 5 | V | ||
Abschaltstrom des Kollektors | ICBO | VCB=40V,IE=0 | 0.1 | μA | ||
Abschaltstrom des Kollektors | ICEO | VCE = 20V, IB = 0 | 0.1 | μA | ||
Schnittstrom des Emitters | IEBO | VEB = 5V, IC = 0 | 0.1 | μA | ||
Gleichstromgewinn |
hFE |
VCE = 1V, IC = 100mA | 120 | 400 | ||
VCE=1V, IC=800mA | 40 | |||||
Sättigungsspannung des Kollektors-Emitters | VCE (Sat) | IC=800 mA, IB=80 mA | 0.5 | V | ||
Sättigungsspannung des Basis-Emitters | VBE (Sat) | IC=800 mA, IB=80 mA | 1.2 | V | ||
Basis-Emitterspannung | VBE | VCE=1V IC=10mA | 1 | V | ||
Übergangshäufigkeit | fT | VCE=10V, IC=50mA f=30MHz | 100 | MHz |
Klassifizierung der HFE (n)
Rang | L | H | J |
Reichweite | 120 bis 200 | 200 bis 350 | 300 bis 400 |
Typisch Eigenschaften @Das ist...= 25 °Caußer wenn Ansonsten spezifiziert
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