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120V Boot, 4A Peak, High FrequencyHigh-side And Low-side Driver Integrated Circuit IC Chip
Produktdetails:
| Herkunftsort: | Dongguan China |
| Markenname: | UCHI |
| Zertifizierung: | Completed |
| Modellnummer: | SGM48211 |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1000 Prozent |
|---|---|
| Preis: | Verhandlungsfähig |
| Verpackung Informationen: | Standard |
| Lieferzeit: | 3 Wochen |
| Zahlungsbedingungen: | T/T, Western Union |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 5000pcs |
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Detailinformationen |
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| Versorgungsspannungsbereich, VDD (1), VHB – VHS: | -0,3 V bis 20 V | Eingangsspannungen an LI und HI, VLI, VHI: | -10V bis 20V |
|---|---|---|---|
| LO-Ausgangsspannung, VLO: | -0.3V zu VDD + 0.3V | HO-Ausgangsspannung, VHO: | VHS - 0,3 V bis VHB + 0,3 V |
| HS-Spannung, VHS-Gleichstrom: | -1V bis 115V | Wiederholter Impuls < 100 ns: | -(24V - VDD) bis 115V |
| HB-Spannung, VHB: | -0,3 V bis 120 V | SOIC-8, θJA: | 104,9℃/W |
| SOIC-8, θJB: | 50,7℃/W | SOIC-8, θJC: | 49,4℃/W |
| GRENZSCHICHTTEMPERATUR: | +150℃ | Lagertemperaturbereich: | -65 bis +150℃ |
| Führungs-Temperatur (Löten, 10s): | +260℃ | HBM: | 2000V |
| CDM: | 1000V | ||
| Hervorheben: | 120V boot integrated circuit IC chip,4A peak high-side low-side driver,high power MOSFET driver IC |
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Produkt-Beschreibung
120V Boot, 4A Peak, HochfrequenzHochseite und Niedrigseite Treiber Integrierter Schaltkreis IC Chip
Der SGM48211 ist ein Halbbrücken-MOSFET-Treiber mit 4A Spitzenquelle und Sink-Ausgangsstrommöglichkeit, der es ermöglicht, große Leistungs-MOSFETs mit minimierten Schaltverlusten zu betreiben.Die beiden Kanäle der oberen und der unteren Seite sind völlig unabhängig, wobei die 3ns (TYP) -Verzögerung zwischen dem Einschalten und Ausschalten des anderen abgestimmt ist..
Die maximale Belastungsspannung der Eingangsstufe von SGM48211 beträgt 20 V. Aufgrund der -10 VdC-Spannungskapazität der EingangsstufeDer Fahrer ist robuster und kann direkt mit den Pulstransformatoren verbunden werden, ohne dass eine Diode verwendet werden muss.Mit einer breiten Eingangshysteresis kann das Gerät analoge oder digitale PWM-Signale mit verbesserter Lärmsicherheit empfangen.Eine Bootstrap-Diode mit einer Nennleistung von 120 V ist intern integriert, um die externe Diode zu sparen und die PCB-Dimension zu reduzieren..
Die Unterspannungssperre (UVLO) ist sowohl in den Hoch- als auch in die Niedrigspannungssperren integriert.Die Leistung jedes Kanals wird nach unten gedrängt, wenn die entsprechende Antriebsspannung unter den angegebenen Schwellenwert fällt..
Der SGM48211 ist in den Paketen Green SOIC-8, SOIC-8 ((Exposed Pad) und TDFN-4×4-8AL erhältlich.
Die maximale Belastungsspannung der Eingangsstufe von SGM48211 beträgt 20 V. Aufgrund der -10 VdC-Spannungskapazität der EingangsstufeDer Fahrer ist robuster und kann direkt mit den Pulstransformatoren verbunden werden, ohne dass eine Diode verwendet werden muss.Mit einer breiten Eingangshysteresis kann das Gerät analoge oder digitale PWM-Signale mit verbesserter Lärmsicherheit empfangen.Eine Bootstrap-Diode mit einer Nennleistung von 120 V ist intern integriert, um die externe Diode zu sparen und die PCB-Dimension zu reduzieren..
Die Unterspannungssperre (UVLO) ist sowohl in den Hoch- als auch in die Niedrigspannungssperren integriert.Die Leistung jedes Kanals wird nach unten gedrängt, wenn die entsprechende Antriebsspannung unter den angegebenen Schwellenwert fällt..
Der SGM48211 ist in den Paketen Green SOIC-8, SOIC-8 ((Exposed Pad) und TDFN-4×4-8AL erhältlich.
Wesentliche Merkmale
● Breiter Betriebsbereich: 8 bis 17 V
● Antrieb zweier N-MOSFETs in Halbbrücke
● Maximale Sperrspannung: 120 V Gleichstrom
● Ein integriertes Bootstrap-Diod für Kosteneinsparungen
● 4A Spitzen- und Quellströme
● -10V bis 20V Toleranz der Eingangspins
● COMS/TTL-kompatible Eingänge
● 6,5ns (TYP) Aufstiegszeit und 4,5ns (TYP) Fallzeit mit 1000pF Belastung
● Verzögerungszeit der Verbreitung: 31 ns (TYP)
● Verzögerungsmatching: 3ns (TYP)
● UVLO-Funktionen für Hoch- und Tieffahrer
● Betriebstemperatur von -40°C bis +140°C
● Erhältlich in den Grünen SOIC-8, SOIC-8 (Exposed Pad) und TDFN-4×4-8AL-Paketen
Anwendungen
Stromumwandler in 48 V- oder niedrigeren Systemen für Telekommunikation, Dateneinrichtungen, tragbare Speicher usw.
Halbbrücke-, Vollbrücke-, Schub-Zug-, Synchron-Buck- und Vorwärtsumrichter
Synchrone Berichtigungsgeräte
Klasse D-Audioverstärker
Halbbrücke-, Vollbrücke-, Schub-Zug-, Synchron-Buck- und Vorwärtsumrichter
Synchrone Berichtigungsgeräte
Klasse D-Audioverstärker
Typische Anwendung
Der Kapazitätswert des Bootstrap-Kondensators sollte nicht größer als 1μF sein, um einen übermäßigen transienten Strombruch der Bootstrapdiode beim Laden des Bootstrap-Kondensators zu verhindern.
Wenn die QG des Leistungstransistors besonders groß ist und eine Kapazität von mehr als 1 μF erfordert,Es wird empfohlen, einen Widerstand direkt am HBpin in Serie mit dem Bootstrap-Kondensator zu verbinden, um den transienten Strom zu reduzieren.Es wird empfohlen, einen Widerstand der Serie 1Ω bis 2Ω zu verwenden.Es ist wichtig zu beachten, dass dieser Widerstand auch den Gesamtzündungwiderstand erhöht.
Wenn es nicht möglich ist, den Serienwiderstand zu erhöhen, it isrecommended to add an external Schottky diodebetween the VDD and HB pins in parallel with the internal diode to share the transient current and reducethe effect of the transient current on the body diodeEine Schottky-Diode wie die S115FP sollte ausgewählt werden, wenn die VF ≤ 0,8 V @ 100 mA ist.
Eine größere Di/dt erzeugt eine größere negative Spannung auf dem HS-Pin.,Es wird empfohlen, eine Schottky-Diode zwischen HS und VSS hinzuzufügen, um die negative Spannung zu klemmen.Die Mindestblockungsspannung sollte größer sein als die maximale positive Spannung der Halbbrücke..
Pin-Konfigurationen
Beschreibung des Pins
Leitfaden zur Produktauswahl
Der Kapazitätswert des Bootstrap-Kondensators sollte nicht größer als 1μF sein, um einen übermäßigen transienten Strombruch der Bootstrapdiode beim Laden des Bootstrap-Kondensators zu verhindern.
Wenn die QG des Leistungstransistors besonders groß ist und eine Kapazität von mehr als 1 μF erfordert,Es wird empfohlen, einen Widerstand direkt am HBpin in Serie mit dem Bootstrap-Kondensator zu verbinden, um den transienten Strom zu reduzieren.Es wird empfohlen, einen Widerstand der Serie 1Ω bis 2Ω zu verwenden.Es ist wichtig zu beachten, dass dieser Widerstand auch den Gesamtzündungwiderstand erhöht.
Wenn es nicht möglich ist, den Serienwiderstand zu erhöhen, it isrecommended to add an external Schottky diodebetween the VDD and HB pins in parallel with the internal diode to share the transient current and reducethe effect of the transient current on the body diodeEine Schottky-Diode wie die S115FP sollte ausgewählt werden, wenn die VF ≤ 0,8 V @ 100 mA ist.
Eine größere Di/dt erzeugt eine größere negative Spannung auf dem HS-Pin.,Es wird empfohlen, eine Schottky-Diode zwischen HS und VSS hinzuzufügen, um die negative Spannung zu klemmen.Die Mindestblockungsspannung sollte größer sein als die maximale positive Spannung der Halbbrücke..
Pin-Konfigurationen
Beschreibung des Pins
Leitfaden zur Produktauswahl
| Teilnummer |
Zahl
von
Kanäle
|
Spitzenleistung
Strom
(A)
|
Vcc
(V)
|
Aufstehen
Zeit
(ns)
|
Fallen
Zeit
(ns)
|
Die Logik ist niedrig.
Eingangsspannung
(V)
|
Logik hoch
Eingangsspannung
(V)
|
Eingabe
Hysterese
(V)
|
ICC-Typ
(mA)
|
Verpackung
|
Eigenschaften |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SGM48005
|
1 |
9/12
|
3 ~ 15
|
2.9
|
3.6
|
1.2 | 2.4 | 0.12 | 1 |
TSSOP-14
|
Null-Überschlag, großer Schwing SiC & IGBT-Treiber mit Präzisions-Doppel-Leistungs-Schienengenerationskreis
|
|
SGM48010
|
1 |
8/12
|
4.5 ~ 20
|
10 | 10 | 0.9 | 2.5 | 0.45 | 0.13 |
TDFN-2×2-6L
|
Einkanal-Hochgeschwindigkeits-Low-Side-Gate-Treiber
|
|
SGM48013C
|
1 |
8/13
|
4.5 ~ 20
|
7 | 8 | 0.7 | 2.5 | 0.45 | 0.09 |
SOT-23-5
|
Einkanal-Hochgeschwindigkeits-Low-Side-Gate-Treiber
|
|
SGM48017C
|
1 |
8/13
|
4.5 ~ 20
|
7 | 8 | 0.7 | 2.5 | 0.45 | 0.09 |
SOT-23-5
|
Einkanal-Hochgeschwindigkeits-Low-Side-Gate-Treiber
|
|
SGM48018C
|
1 |
8/13
|
4.5 ~ 20
|
7 | 8 | 0.7 | 2.5 | 0.45 | 0.09 |
SOT-23-5
|
Einkanal-Hochgeschwindigkeits-Low-Side-Gate-Treiber
|
|
SGM48019C
|
1 |
8/13
|
4.5 ~ 20
|
7 | 8 | 0.7 | 2.5 | 0.45 | 0.09 | SOT-23-5 |
Einkanal-Hochgeschwindigkeits-Low-Side-Gate-Treiber
|
|
SGM48209
|
2 |
4/5
|
8 ~ 17
|
6.5 | 4.5 | 1.5 | 2.25 | 0.7 | 0.13 |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge.
|
120-Volt-Start, 4A-Peak, Hochfrequenz-Hoch- und Niedrigstrieb
|
|
SGM48211
|
2 |
4/5
|
8 ~ 17
|
6.5 | 4.5 | 1.5 | 2.25 | 0.7 | 0.13 |
SOIC-8, SOIC-8 (Exposed Pad),TDFN-4×4-8AL
|
120-Volt-Start, 4A-Peak, Hochfrequenz-Hoch- und Niedrigstrieb
|
|
SGM48510
|
1 |
11/6
|
4.5 ~ 24
|
4 | 4 |
1.3†
|
2.1†
|
0.8 | 0.5 |
TDFN-2×2-8AL, SOIC-8
|
11A Hochgeschwindigkeits-Low-Side-MOSFET-Treiber
|
|
SGM48520
|
1 |
6/4
|
4.75 bis 5.25
|
0.55 | 0.48 | 0.055 |
WLCSP-0.88×1.28-6B,TDFN-2×2-6AL
|
5V Low-Side GaN und MOSFET-Treiber
|
|||
|
SGM48521
|
1 |
7/6
|
4.5 ~ 5.5
|
0.5 | 0.46 |
1.4†
|
2.15†
|
0.75 | 0.075 |
WLCSP-0.88×1.28-6B,TDFN-2×2-6AL
|
5V Low-Side GaN und MOSFET-Treiber
|
|
SGM48521Q
|
1 |
7/6
|
4.5 ~ 5.5
|
0.5 |
0.46 |
1.4†
|
2.15†
|
0.75 |
0.075* *
|
WLCSP-0.88×1.28-6B,TDFN-2×2-6DL
|
Automobil, 5V-Low-Side-GaN und MOSFET-Treiber
|
|
SGM48522
|
2 |
7/6
|
4.5 ~ 5.5
|
0.75
|
0.56 |
1.4†
|
2.1†
|
0.7 | 0.1 |
TQFN-2×2-10BL
|
Zweikanal 5V-Low-Side-GaN- und MOSFET-Treiber
|
|
SGM48522Q
|
2 | 7/6 |
4.5 ~ 5.5
|
0.72
|
0.57 |
1.4†
|
2.1†
|
0.7 | 0.05 |
TQFN-2 × 2-10AL
|
Automobilfahrzeuge, 5-Volt-Low-Side-GaN- und MOSFET-Treiber mit zwei Kanälen
|
|
SGM48523
|
2 |
5
|
4.5 ~ 18
|
8 | 8 |
1.2†
|
2†
|
0.8 | 0.036 |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmengen.
|
Doppelkanal-Hochgeschwindigkeits-Tiefseiten-Gate-Treiber
|
|
SGM48523C
|
2 |
5
|
8.5 ~ 18
|
7 | 7 |
1.2†
|
2.1† | 0.9 | 0.075 |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmengen.
|
Doppelkanal-Hochgeschwindigkeits-Tiefseiten-Gate-Treiber
|
|
SGM48524A
|
2 |
5
|
4.5 ~ 18 | 8 | 8 |
1.2†
|
2† | 0.8 | 0.038 |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmengen.
|
Doppelkanal-Hochgeschwindigkeits-Tiefseiten-Gate-Treiber
|
Anmerkungen: † Typische Werte @ 25°C
†† Maximalwert
Integrierte Schaltungen (ICs) bilden die Grundlage moderner Elektronik und bieten eine geringe Größe, einen geringen Stromverbrauch, eine hohe Leistungsfähigkeit und hohe Zuverlässigkeit.Sie werden in der Unterhaltungselektronik weit verbreitet, Industrieanwendungen, Kommunikation, Automobilelektronik, medizinische Ausrüstung und Luft- und Raumfahrtsysteme.
Uchi Electronics bietet leistungsstarke analoge und gemischte Signalverarbeitungslösungen für industrielle Automatisierung, neue Energie, Automobilindustrie, Kommunikation, Computer,Anwendungen für Unterhaltungselektronik und medizinische Geräte.
Diese Lösung zeigt die Anwendung von integrierten Schaltkreisen von Kapazitäts-Level-Sendern.
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