• SOT-89 D882 NPN Elektronische Transistoren Kunststoffkapseln Leistungsauflösung
  • SOT-89 D882 NPN Elektronische Transistoren Kunststoffkapseln Leistungsauflösung
  • SOT-89 D882 NPN Elektronische Transistoren Kunststoffkapseln Leistungsauflösung
SOT-89 D882 NPN Elektronische Transistoren Kunststoffkapseln Leistungsauflösung

SOT-89 D882 NPN Elektronische Transistoren Kunststoffkapseln Leistungsauflösung

Produktdetails:

Herkunftsort: Dongguan, China
Markenname: UCHI
Zertifizierung: Completed
Modellnummer: D882

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 1000 Stück
Preis: Verhandlungsfähig
Verpackung Informationen: Standards
Lieferzeit: 3weeks
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 5000 Stück
Bestpreis Kontakt

Detailinformationen

Hervorheben:

Elektrische NPN-Transistoren

,

Elektrische Transistoren aus Kunststoff

,

Elektrische Transistoren zur Stromversorgung

Produkt-Beschreibung

SOT-89 D882 Transistoren aus Kunststoff

 

Eigenschaften
 
Leistungsausfall
 
 

Maximal Ratings (T)Ein= 25°C sofern nicht anders Hinweis)

 

Symbol Parameter Wert Einheit
VCBO Spannung des Kollektors 40 V
VGeschäftsführer Sammler-Sender Spannung 30 V
VEBO Ausstrahlungsbasisspannung 6 V
Ich...C Kollektorstrom - Kontinuität 3 Eine
PC Sammlerkraftverlust 0.5 W
TJ Kreuztemperatur 150 °C
TStg Speichertemperatur - 55 bis 150 °C

 

Elektrische Eigenschaften ((Ta=25°C, sofern nicht anders angegeben)

Parameter Symbol Prüfbedingungen Min. Typ Maximal Einheit
Abbruchspannung der Kollektorbasis V(BR)CBO IC = 100μA, IE = 0 40     V
Abbruchspannung zwischen Kollektor und Emitter V(BR)CEO IC = 10mA, IB = 0 30     V
Abbruchspannung Emitter-Basis V(BR) EBO IE= 100μA, IC=0 6     V
Abschaltstrom des Kollektors ICBO VCB = 40V, IE = 0     1 μA
Abschaltstrom des Kollektors ICEO VCE = 30V, IB = 0     10 μA
Schnittstrom des Emitters IEBO VEB = 6V, IC = 0     1 μA
Gleichstrom Gewinn hFE(1) VCE=2V, IC=1A 60   400  
  hFE(2) VCE = 2V, IC = 100mA 32      
Sättigungsspannung des Kollektors-Emitters VCE (Sat) IC= 2A, IB= 0,2 A     0.5 V
Sättigungsspannung des Basis-Emitters VBE (Sat) IC= 2A, IB= 0,2 A     1.5 V
Übergangshäufigkeit fT VCE = 5V, Ic = 0,1A f = 10MHz 50     MHz

 

Klassifizierung hFE(1)

 

Rang R O Y GR
Reichweite 60 bis 120 100 bis 200 160 bis 320 200 bis 400

 

Typisch Eigenschaften

SOT-89 D882 NPN Elektronische Transistoren Kunststoffkapseln Leistungsauflösung 0

Möchten Sie mehr über dieses Produkt erfahren?
Ich bin daran interessiert SOT-89 D882 NPN Elektronische Transistoren Kunststoffkapseln Leistungsauflösung Könnten Sie mir weitere Details wie Typ, Größe, Menge, Material usw. senden?
Vielen Dank!
Auf deine Antwort wartend.